PECVD/等离子增强化学气相沉积系统

        NANO-MASTER(那诺-马斯特) PECVD系统能够沉积高质量的SiO2, Si3N4, 或DLC薄膜到*大可达12” 直径的基片上.该系统采用淋浴头电极或中空阴极射频等离子源来产生等离子，具有分形气流分布的优势.样品台可以通过RF或脉冲DC产生偏压。并可以支持加热和循环冷却水的冷却.使用250l/sec涡轮分子泵及3.5 cfm的机械泵，腔体可以达到低至10-7 torr的真空。标准配置包含1路惰性气体、3路活性气体管路和4个MFC.带有*气体分布系统的平面中空阴极等离子源使得系统可以满足广大范围的要求，无论是等离子强度、均匀度，还是要分别激活某些活性组份，这样系统可以覆盖*广的可能性来获得各种沉积参数。

产品特点：

• 等离子诱导表面改性

• 等离子清洗

• 等离子聚合

• SiO2, Si3N4, a-Si, DLC以及其它薄膜

• CNT选择性生长

更多设备型号：

• NPE-4000：基于PC计算机全自动控制的独立系统

• NPE-3500：基于PC计算机全自动控制的紧凑型独立系统

• NPE-3000：基于PC计算机全自动控制的台式系统

• NRP-4000：RIE/PECVD双系统

• NSP-4000：溅射/PECVD双系统

                                         NanoMaster平面等离子源